CVD氣相沉積爐是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應(yīng)，例如，金屬鹵化物、有機(jī)金屬、

碳?xì)浠衔锏鹊臒岱纸猓瑲溥€原或使它的混合氣體在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以析出金屬、氧化物、碳化物等無機(jī)材料的方法。

        這種技術(shù)Z初是作為涂層的手段而開發(fā)的，但目前，不只應(yīng)用于耐熱物質(zhì)的涂層，而且應(yīng)用于高純度金屬的精制、

粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等，是一個(gè)頗具特征的技術(shù)領(lǐng)域。

        氣相沉積爐這種技術(shù)剛開始發(fā)展時(shí)是作為涂層的手段而開發(fā)的，但是目前隨著發(fā)展已經(jīng)不只是應(yīng)用于耐熱物質(zhì)的涂層了，現(xiàn)在應(yīng)該已經(jīng)應(yīng)用于高純度金屬的精制、

粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等，是一個(gè)還比較廣泛的領(lǐng)域。

       氣相沉積爐反應(yīng)室的壓力、氣體的流動(dòng)速率、晶片的溫度等反應(yīng)中間起的作用都是沉積參數(shù)的變化范圍，所以考慮到沉積薄膜中的變數(shù)、以及沉積

速率決定著反應(yīng)室的產(chǎn)量，反應(yīng)生成的膜不僅會沉積在晶片上，也會沉積在反應(yīng)室的其他部件上，所以對反應(yīng)室進(jìn)行徹底清洗的程度也是重要。

       氣相沉積爐是傳統(tǒng)的制備薄膜的技術(shù)，它的原理就是利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物，通過原子、分子間的化學(xué)反應(yīng)，在晶片上形

成薄膜。氣相沉積能夠生產(chǎn)出具備高質(zhì)量高純度以及高強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn)的材料，因此在半導(dǎo)體行業(yè)很受歡迎。